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省半导体产业技术院受邀在第七届亚洲晶体生长和晶体技术会议作报告

时间:2017-10-20 文本大小:【 |  | 】  【打印

1015日至18日,第七届亚洲晶体生长和晶体技术会议(The 7th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, CGCT-7)在吉林省长春市举行。应组委会邀请,广东省半导体产业技术研究院副院长、教授级高工陈志涛作了“采用磁控溅射AlN缓冲层生长高质量III族氮化物(Growth of High-quality III-nitrides Using Sputtered AlN Buffer Layers)”的报告。

会上,陈志涛介绍了省半导体产业技术院在生长高质量III族氮化物半导体材料研究方面的最新进展,相关结果将对发展高性能第三代半导体器件奠定了材料基础。报告受到国内外同行的关注和认可,扩大了省半导体产业技术院的国际影响力,为未来的学术及产业合作交流起到了积极作用。

亚洲晶体生长与晶体技术(CGCT)系列会议是晶体领域最具影响的国际学术会议之一。每3年举办一次,至今已17年历史。2005年曾在北京举办,本次会议是第2次在我国举办, 参会人数达600多人。

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